SM103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 770 Ohm
Paquete / Cubierta: ELINE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM103

SM103 Datasheet (PDF)

..1. Size:238K gdr
sm103 sm104.pdf

0.1. Size:506K globaltech semi
gsm1032.pdf

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage

0.2. Size:565K globaltech semi
gsm1034.pdf

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: