SM103 Todos los transistores

 

SM103 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 770 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE
 

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SM103 datasheet

 ..1. Size:238K  gdr
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SM103

 0.1. Size:506K  globaltech semi
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SM103

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage

 0.2. Size:565K  globaltech semi
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SM103

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m @VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-

Otros transistores... PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , 2N60 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW , S2N7002 .

 

 

 


 
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