SM103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM103

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.015 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 770 Ohm

Empaquetado / Estuche: ELine

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM103

SM103 Datasheet (PDF)

1.1. gsm1034.pdf Size:565K _update-mosfet

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440mΩ@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500mΩ@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720mΩ@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-

1.2. gsm1032.pdf Size:506K _update-mosfet

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440mΩ@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500mΩ@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750mΩ@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage

1.3. sm103 sm104.pdf Size:238K _gdr

��

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: