SM103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM103
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 770 Ohm
Paquete / Cubierta: ELINE
Búsqueda de reemplazo de SM103 MOSFET
SM103 Datasheet (PDF)
gsm1032.pdf

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage
gsm1034.pdf

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-
Otros transistores... PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , IRF830 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW , S2N7002 .
History: MTB35N04J3 | IRFR411
History: MTB35N04J3 | IRFR411



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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