SM103 Todos los transistores

 

SM103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 770 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  gdr
 sm103 sm104.pdf pdf_icon

SM103

 0.1. Size:506K  globaltech semi
 gsm1032.pdf pdf_icon

SM103

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage

 0.2. Size:565K  globaltech semi
 gsm1034.pdf pdf_icon

SM103

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF820S | IRFML8244 | IRF830S | PT4435

 

 
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