Справочник MOSFET. SM103

 

SM103 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM103
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.015 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 770 Ohm
   Тип корпуса: ELINE
 

 Аналог (замена) для SM103

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  gdr
 sm103 sm104.pdf pdf_icon

SM103

 0.1. Size:506K  globaltech semi
 gsm1032.pdf pdf_icon

SM103

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage

 0.2. Size:565K  globaltech semi
 gsm1034.pdf pdf_icon

SM103

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-

Другие MOSFET... PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , IRF830 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW , S2N7002 .

History: MMBFJ177 | WML80R720S | WML07N65C4 | SMK830FC | JCS8N60C | VBZMB8N60 | APT10035B2FLLG

 

 
Back to Top

 


 
.