SM103 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM103
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.015 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 770 Ohm
Тип корпуса: ELINE
Аналог (замена) для SM103
SM103 технические параметры
gsm1032.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage
gsm1034.pdf
GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m @VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-
Другие MOSFET... PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , 2N60 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW , S2N7002 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
Popular searches
irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики




