SM103 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM103  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.015 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 770 Ohm

Тип корпуса: ELINE

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SM103

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM103 даташит

 ..1. Size:238K  gdr
 sm103 sm104.pdf pdf_icon

SM103

 0.1. Size:506K  globaltech semi
 gsm1032.pdf pdf_icon

SM103

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage

 0.2. Size:565K  globaltech semi
 gsm1034.pdf pdf_icon

SM103

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m @VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m @VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-

Другие IGBT... PT4410, PT9926, SI2301, SI2305, XP152A12COMR, AO3401, AO3407, PT4435, AO3407, SM104, SMY50, SMY51, SMY52, SMY60, U105D, 2N7002KDW, S2N7002