SM103 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM103
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.015 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 770 Ohm
Тип корпуса: ELINE
Аналог (замена) для SM103
SM103 Datasheet (PDF)
gsm1032.pdf

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Low Offset (Error) Voltage voltage
gsm1034.pdf

GSM1034 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1034, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/0.4A,RDS(ON)=720m@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-
Другие MOSFET... PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , 7N60 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW , S2N7002 .
History: IXTP3N100D2
History: IXTP3N100D2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики