SCG3019 Todos los transistores

 

SCG3019 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SCG3019
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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SCG3019 Datasheet (PDF)

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SCG3019

SCG3019 N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-523FEATURES Low on-resistance. Fast switching speed. Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment. Easily designed drive circuits. Easy to parallel. EQUIVALENT CIRCUIT Millimeter Millimeter

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History: WMK4N150D1

 

 
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