Справочник MOSFET. SCG3019

 

SCG3019 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCG3019
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для SCG3019

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCG3019 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  secos
 scg3019.pdf pdf_icon

SCG3019

SCG3019 N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-523FEATURES Low on-resistance. Fast switching speed. Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment. Easily designed drive circuits. Easy to parallel. EQUIVALENT CIRCUIT Millimeter Millimeter

Другие MOSFET... SMY60 , U105D , 2N7002KDW , S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , AON7403 , SDF920NE , SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 .

 

 
Back to Top

 


 
.