SFN423P Todos los transistores

 

SFN423P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFN423P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: DFN2X28PP

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SFN423P datasheet

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SFN423P

SFN423P -6.6 A , -20 V , RDS(ON) 42 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN2x2-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. T

Otros transistores... S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , SDN520C , K2611 , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I .

History: SFG100N08PF | 2SK1293

 

 

 

 

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