Справочник MOSFET. SFN423P

 

SFN423P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFN423P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X28PP
 

 Аналог (замена) для SFN423P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFN423P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  secos
 sfn423p.pdf pdf_icon

SFN423P

SFN423P -6.6 A , -20 V , RDS(ON) 42 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN2x2-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. T

Другие MOSFET... S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , SDN520C , IRF9640 , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I .

History: SM1A53NHU

 

 
Back to Top

 


 
.