SFN423P - описание и поиск аналогов

 

SFN423P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFN423P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: DFN2X28PP

Аналог (замена) для SFN423P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFN423P даташит

 ..1. Size:439K  secos
 sfn423p.pdf pdf_icon

SFN423P

SFN423P -6.6 A , -20 V , RDS(ON) 42 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN2x2-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. T

Другие MOSFET... S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , SDN520C , K2611 , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.