Справочник MOSFET. SFN423P

 

SFN423P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFN423P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X28PP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFN423P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  secos
 sfn423p.pdf pdf_icon

SFN423P

SFN423P -6.6 A , -20 V , RDS(ON) 42 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN2x2-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. T

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FTK3401 | IXTC96N25T | NDT6N70 | SUP90N08-8M2P | STU5N52K3 | IPD50R280CE | FHD15N10A

 

 
Back to Top

 


 
.