SGM0410S Todos los transistores

 

SGM0410S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM0410S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: SOT89

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SGM0410S datasheet

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SGM0410S

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 7.1. Size:620K  secos
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SGM0410S

SGM0410 3.5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410 provide the designer with the best A combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 package 4 Top Vie

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History: 4N65G-TF2-T | AP92T12GP | ME95N03T | SWB060R65E7T

 

 

 

 

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