Справочник MOSFET. SGM0410S

 

SGM0410S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGM0410S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для SGM0410S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGM0410S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  secos
 sgm0410s.pdf pdf_icon

SGM0410S

SGM0410S 2.2A , 100V , RDS(ON) 310 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410S provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 pac

 7.1. Size:620K  secos
 sgm0410.pdf pdf_icon

SGM0410S

SGM0410 3.5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410 provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 package 4Top Vie

Другие MOSFET... S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , SDN520C , SFN423P , 2SK3918 , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 .

 

 
Back to Top

 


 
.