Справочник MOSFET. SGM0410S

 

SGM0410S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGM0410S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SGM0410S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  secos
 sgm0410s.pdf pdf_icon

SGM0410S

SGM0410S 2.2A , 100V , RDS(ON) 310 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410S provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 pac

 7.1. Size:620K  secos
 sgm0410.pdf pdf_icon

SGM0410S

SGM0410 3.5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410 provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 package 4Top Vie

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG

 

 
Back to Top

 


 
.