SID05N10 Todos los transistores

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SID05N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SID05N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.17 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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SID05N10 Datasheet (PDF)

1.1. sid05n10.pdf Size:2189K _secos

SID05N10
SID05N10

SID05N10 5A , 100V , RDS(ON) 170 m? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID05N10 provide the designer with the best combination of fast switching, The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications.

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