SID05N10 Todos los transistores

 

SID05N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SID05N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de SID05N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SID05N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2189K  secos
 sid05n10.pdf pdf_icon

SID05N10

SID05N10 5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID05N10 provide the designer with the best combination of fast switching, The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount app

Otros transistores... SDF920NE , SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , IRFB7545 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 .

History: NCE15P25JK | PSMN3R4-30BL | STW40N20 | HY1906C2 | IRFH5020TRPBF | SWP70N10V | IRFU1205PBF

 

 
Back to Top

 


 
.