SID05N10 - описание и поиск аналогов

 

SID05N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SID05N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SID05N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID05N10 даташит

 ..1. Size:2189K  secos
 sid05n10.pdf pdf_icon

SID05N10

SID05N10 5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID05N10 provide the designer with the best combination of fast switching, The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount app

Другие MOSFET... SDF920NE , SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , 60N06 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 .

History: 2SJ154 | HU840U | JMSH0602AE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.