Справочник MOSFET. SID05N10

 

SID05N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID05N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SID05N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID05N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2189K  secos
 sid05n10.pdf pdf_icon

SID05N10

SID05N10 5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID05N10 provide the designer with the best combination of fast switching, The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount app

Другие MOSFET... SDF920NE , SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , AO4468 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 .

History: MTE130N20FP | RF4E110GN

 

 
Back to Top

 


 
.