SID10N30-600I Todos los transistores

 

SID10N30-600I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SID10N30-600I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251P
 

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SID10N30-600I Datasheet (PDF)

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SID10N30-600I

SID10N30-600I 7.5A, 300V, RDS(ON) 600 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TO-251P The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES L

Otros transistores... SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , 5N50 , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N .

History: 1N80 | R8008ANJ | R8010ANX | NCEP1570GU | NCEP1520BK | STK7002 | HSCB1216

 

 
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