SID10N30-600I Todos los transistores

 

SID10N30-600I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SID10N30-600I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO251P

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SID10N30-600I datasheet

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SID10N30-600I

SID10N30-600I 7.5A, 300V, RDS(ON) 600 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TO-251P The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES L

Otros transistores... SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , IRFP064N , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N .

History: 2SJ161 | 4N65KL-TF3-T | IRF7313PBF-1 | SFG10S10PF | MMN400A006U1 | IRF720SPBF | 2SK3111

 

 

 

 

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