SID10N30-600I - описание и поиск аналогов

 

SID10N30-600I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SID10N30-600I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251P

Аналог (замена) для SID10N30-600I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID10N30-600I даташит

 ..1. Size:104K  secos
 sid10n30-600i.pdf pdf_icon

SID10N30-600I

SID10N30-600I 7.5A, 300V, RDS(ON) 600 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TO-251P The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES L

Другие MOSFET... SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , IRFP064N , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N .

History: EMB20P03G | RU40120L | XP161A1265PR-G | 2SK2551 | AOW10N60 | G18N20K | SMNY2Z30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.