Справочник MOSFET. SID10N30-600I

 

SID10N30-600I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID10N30-600I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251P
 

 Аналог (замена) для SID10N30-600I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID10N30-600I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  secos
 sid10n30-600i.pdf pdf_icon

SID10N30-600I

SID10N30-600I 7.5A, 300V, RDS(ON) 600 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TO-251P The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES L

Другие MOSFET... SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , 5N50 , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N .

History: WST2304A | SK830321 | WMO13N50C4 | JBE084M

 

 
Back to Top

 


 
.