SID20N06-90I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SID20N06-90I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
Encapsulados: TO251P
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SID20N06-90I datasheet
sid20n06-90i.pdf
SID20N06-90I 19A, 60V, RDS(ON) 94 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-251P DESCRIPTION The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pro
Otros transistores... SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , AO4468 , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 .
History: 2SK2221
History: 2SK2221
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