SID20N06-90I - описание и поиск аналогов

 

SID20N06-90I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SID20N06-90I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: TO251P

Аналог (замена) для SID20N06-90I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID20N06-90I даташит

 ..1. Size:640K  secos
 sid20n06-90i.pdf pdf_icon

SID20N06-90I

SID20N06-90I 19A, 60V, RDS(ON) 94 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-251P DESCRIPTION The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pro

Другие MOSFET... SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , AO4468 , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 .

History: SMF8N60 | MEE4298T | HD830 | HY3403V | WMQ37N03T1 | JMH65R980AK | 4N70G-TM3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.