Справочник MOSFET. SID20N06-90I

 

SID20N06-90I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID20N06-90I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: TO251P
 

 Аналог (замена) для SID20N06-90I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID20N06-90I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  secos
 sid20n06-90i.pdf pdf_icon

SID20N06-90I

SID20N06-90I 19A, 60V, RDS(ON) 94 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-251P DESCRIPTION The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pro

Другие MOSFET... SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , IRFP064N , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 .

History: RU15P12C | WMJ80R480S

 

 
Back to Top

 


 
.