SID3055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SID3055
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: TO251
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SID3055 datasheet
sid3055.pdf
SID3055 15A, 30V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product TO-251 2.3 0.1 6.6 0.2 5.3 0.2 0.5 0.05 Description 7.0 0.2 The TO-251 is universally preferred for all commercial-industrial 5.6 0.2 surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. 1.2 0.3 0
Otros transistores... SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , IRF730 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P .
History: HX2302 | HM4421C | SEFN9140
History: HX2302 | HM4421C | SEFN9140
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