SID3055 Todos los transistores

 

SID3055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SID3055

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO251

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SID3055 datasheet

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SID3055

SID3055 15A, 30V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product TO-251 2.3 0.1 6.6 0.2 5.3 0.2 0.5 0.05 Description 7.0 0.2 The TO-251 is universally preferred for all commercial-industrial 5.6 0.2 surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. 1.2 0.3 0

Otros transistores... SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , IRF730 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P .

History: HX2302 | HM4421C | SEFN9140

 

 

 


History: HX2302 | HM4421C | SEFN9140

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