SID3055 - описание и поиск аналогов

 

SID3055. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SID3055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SID3055

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID3055 даташит

 ..1. Size:1588K  secos
 sid3055.pdf pdf_icon

SID3055

SID3055 15A, 30V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product TO-251 2.3 0.1 6.6 0.2 5.3 0.2 0.5 0.05 Description 7.0 0.2 The TO-251 is universally preferred for all commercial-industrial 5.6 0.2 surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. 1.2 0.3 0

Другие MOSFET... SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , IRF730 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P .

History: AP3P6R0S | JMPL0648PKQ | FIR7N65FG | ASDM40N80Q | 2SK2974 | SK2300A | 2SK3078

 

 

 

 

↑ Back to Top
.