Справочник MOSFET. SID3055

 

SID3055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID3055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SID3055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID3055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1588K  secos
 sid3055.pdf pdf_icon

SID3055

SID305515A, 30V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-2512.30.16.60.25.30.2 0.50.05Description7.00.2The TO-251 is universally preferred for all commercial-industrial5.60.2 surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters.1.20.30

Другие MOSFET... SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , BS170 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P .

 

 
Back to Top

 


 
.