Справочник MOSFET. SID3055

 

SID3055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID3055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SID3055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1588K  secos
 sid3055.pdf pdf_icon

SID3055

SID305515A, 30V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-2512.30.16.60.25.30.2 0.50.05Description7.00.2The TO-251 is universally preferred for all commercial-industrial5.60.2 surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters.1.20.30

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SUM90N08-6M2P | AP2612GY-HF | RTQ020N03FRA | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.