SID40N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SID40N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
- Selección de transistores por parámetros
SID40N03 Datasheet (PDF)
sid40n03.pdf

SID40N0336A, 30V,RDS(ON)21m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-251Description2.30.16.60.2The SID40N03 provide the designer with the best combination 5.30.2 0.50.05 of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 7.00.25.60.2The TO-251 is universall
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History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT
History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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