Справочник MOSFET. SID40N03

 

SID40N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID40N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SID40N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID40N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  secos
 sid40n03.pdf pdf_icon

SID40N03

SID40N0336A, 30V,RDS(ON)21m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-251Description2.30.16.60.2The SID40N03 provide the designer with the best combination 5.30.2 0.50.05 of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 7.00.25.60.2The TO-251 is universall

Другие MOSFET... SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , IRFZ44N , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 .

History: WM10N02M | NCEP40P80D

 

 
Back to Top

 


 
.