Справочник MOSFET. SID40N03

 

SID40N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID40N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SID40N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  secos
 sid40n03.pdf pdf_icon

SID40N03

SID40N0336A, 30V,RDS(ON)21m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-251Description2.30.16.60.2The SID40N03 provide the designer with the best combination 5.30.2 0.50.05 of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 7.00.25.60.2The TO-251 is universall

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTDN9971Q8 | AP2625GY | WFD5N50 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV | CEP20P10

 

 
Back to Top

 


 
.