SJV01N60 Todos los transistores

 

SJV01N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SJV01N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO92

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SJV01N60 datasheet

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SJV01N60

SJV01N60 1A , 600V , RDS(ON) 10 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 DESCRIPTION The high voltage MOSFET uses an advanced A D termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition

Otros transistores... SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , 20N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE .

History: APT5024SFLL | IRF7205PBF-1 | XP161A1265PR-G | 2SK2551 | AOW10N60 | G18N20K | SMNY2Z30

 

 

 

 

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