SJV01N60 - описание и поиск аналогов

 

SJV01N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJV01N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для SJV01N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJV01N60 даташит

 ..1. Size:73K  secos
 sjv01n60.pdf pdf_icon

SJV01N60

SJV01N60 1A , 600V , RDS(ON) 10 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 DESCRIPTION The high voltage MOSFET uses an advanced A D termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition

Другие MOSFET... SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , 20N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.