Справочник MOSFET. SJV01N60

 

SJV01N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJV01N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для SJV01N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJV01N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  secos
 sjv01n60.pdf pdf_icon

SJV01N60

SJV01N60 1A , 600V , RDS(ON) 10 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 DESCRIPTION The high voltage MOSFET uses an advanced ADtermination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition

Другие MOSFET... SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , 20N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE .

History: 2SK1760 | 23N50 | ST13P10 | 2SK2056

 

 
Back to Top

 


 
.