SMG1330N Todos los transistores

 

SMG1330N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG1330N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SC59

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SMG1330N datasheet

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SMG1330N

SMG1330N 2.0A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs A utilize a high cell density trench process to provide low L 3 RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3

Otros transistores... SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , IRF540N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A .

History: HU30N03 | HX3400 | ET8205 | AOWF12N50 | MMD65R900QRH | KIA2906A-220 | SVF10N65T

 

 

 

 

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