SMG1330N Todos los transistores

 

SMG1330N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMG1330N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59
 

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SMG1330N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  secos
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SMG1330N

SMG1330N 2.0A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs Autilize a high cell density trench process to provide low L3RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3

Otros transistores... SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , IRF540 , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A .

History: RJU002N06 | NCE3N170 | MTC8958Q8 | IPI90R340C3 | NCEP10N12AK

 

 
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