Справочник MOSFET. SMG1330N

 

SMG1330N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMG1330N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SC59
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG1330N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  secos
 smg1330n.pdf pdf_icon

SMG1330N

SMG1330N 2.0A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs Autilize a high cell density trench process to provide low L3RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.