SMG1330N - описание и поиск аналогов

 

SMG1330N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMG1330N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SC59

Аналог (замена) для SMG1330N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG1330N даташит

 ..1. Size:58K  secos
 smg1330n.pdf pdf_icon

SMG1330N

SMG1330N 2.0A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs A utilize a high cell density trench process to provide low L 3 RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3

Другие MOSFET... SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , IRF540N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A .

History: IAUC120N04S6L012 | HM150N03 | ME90N03-G | 2SK1562 | DMP6185SE | ME8107-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.