Справочник MOSFET. SMG1330N

 

SMG1330N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMG1330N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SC59
 

 Аналог (замена) для SMG1330N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG1330N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  secos
 smg1330n.pdf pdf_icon

SMG1330N

SMG1330N 2.0A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs Autilize a high cell density trench process to provide low L3RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3

Другие MOSFET... SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , IRF540 , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A .

History: IRL3714LPBF | SM7511NSK | RJU002N06

 

 
Back to Top

 


 
.