SMG3403 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMG3403
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: SC59
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SMG3403 datasheet
smg3403.pdf
SMG3403 -3.7A, -30V,RDS(ON) 75m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3403 provide the designer with the best 3 A 2.70 3.10 S B Top View combination of fast switching, low on-resistance 2 1 B 1.40 1.60 and cost-effectiveness. C 1.00 1.30 The SMG3403 is universally preferred f
smg3400.pdf
SMG3400 5.8A, 30V,RDS(ON) 28m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SC-59 A Dim Min Max Description L A 2.70 3.10 The SMG3400 uses advanced trench technology to provide * 3 B 1.40 1.60 S B Top View excellent on-resistance extremely efficient and 2 1 C 1.00 1.30 cost-effectiveness device. D 0.35 0.50 The SMG3400 is uni
smg3401.pdf
SMG3401 -4.2A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3401 uses advanced trench technology 3 A 2.70 3.10 S B Top View to provide excellent on-resistance extremely 2 1 B 1.40 1.60 efficient and cost-effectiveness device. C 1.00 1.30 The
smg3407.pdf
SMG3407 -4.1A, -30V,RDS(ON) 52m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3407 uses advanced trench technology to 3 A 2.70 3.10 S B Top View provide excellent on-resistance with low gate change. 2 1 B 1.40 1.60 The device is suitable for use as a load switch or in C 1.00 1.30 PWM
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