SMG3403 - описание и поиск аналогов

 

SMG3403. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMG3403

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SC59

Аналог (замена) для SMG3403

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG3403 даташит

 ..1. Size:407K  secos
smg3403.pdfpdf_icon

SMG3403

SMG3403 -3.7A, -30V,RDS(ON) 75m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3403 provide the designer with the best 3 A 2.70 3.10 S B Top View combination of fast switching, low on-resistance 2 1 B 1.40 1.60 and cost-effectiveness. C 1.00 1.30 The SMG3403 is universally preferred f

 8.1. Size:416K  secos
smg3400.pdfpdf_icon

SMG3403

SMG3400 5.8A, 30V,RDS(ON) 28m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SC-59 A Dim Min Max Description L A 2.70 3.10 The SMG3400 uses advanced trench technology to provide * 3 B 1.40 1.60 S B Top View excellent on-resistance extremely efficient and 2 1 C 1.00 1.30 cost-effectiveness device. D 0.35 0.50 The SMG3400 is uni

 8.2. Size:515K  secos
smg3401.pdfpdf_icon

SMG3403

SMG3401 -4.2A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3401 uses advanced trench technology 3 A 2.70 3.10 S B Top View to provide excellent on-resistance extremely 2 1 B 1.40 1.60 efficient and cost-effectiveness device. C 1.00 1.30 The

 8.3. Size:512K  secos
smg3407.pdfpdf_icon

SMG3403

SMG3407 -4.1A, -30V,RDS(ON) 52m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3407 uses advanced trench technology to 3 A 2.70 3.10 S B Top View provide excellent on-resistance with low gate change. 2 1 B 1.40 1.60 The device is suitable for use as a load switch or in C 1.00 1.30 PWM

Другие MOSFET... SMG2371P , SMG2390N , SMG2391P , SMG2398N , SMG2398NE , SMG3400 , SMG3401 , SMG3402 , STP80NF70 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.