SMG3403 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SMG3403
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SC59
Аналог (замена) для SMG3403
SMG3403 Datasheet (PDF)
smg3403.pdf

SMG3403-3.7A, -30V,RDS(ON) 75m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductASC-59DescriptionLDim Min MaxThe SMG3403 provide the designer with the best 3A 2.70 3.10SBTop Viewcombination of fast switching, low on-resistance 2 1B 1.40 1.60and cost-effectiveness. C 1.00 1.30The SMG3403 is universally preferred f
smg3400.pdf

SMG34005.8A, 30V,RDS(ON) 28mElektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSC-59ADim Min MaxDescription LA 2.70 3.10The SMG3400 uses advanced trench technology to provide*3B 1.40 1.60SBTop Viewexcellent on-resistance extremely efficient and 2 1C 1.00 1.30cost-effectiveness device.D 0.35 0.50The SMG3400 is uni
smg3401.pdf

SMG3401-4.2A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeASC-59DescriptionLDim Min MaxThe SMG3401 uses advanced trench technology 3A 2.70 3.10SBTop Viewto provide excellent on-resistance extremely 2 1B 1.40 1.60efficient and cost-effectiveness device. C 1.00 1.30The
smg3407.pdf

SMG3407-4.1A, -30V,RDS(ON) 52m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductASC-59DescriptionLDim Min MaxThe SMG3407 uses advanced trench technology to 3A 2.70 3.10SBTop Viewprovide excellent on-resistance with low gate change. 2 1B 1.40 1.60The device is suitable for use as a load switch or inC 1.00 1.30PWM
Другие MOSFET... SMG2371P , SMG2390N , SMG2391P , SMG2398N , SMG2398NE , SMG3400 , SMG3401 , SMG3402 , 18N50 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 .
History: AP4800GM | WSP4406 | WMJ80R160S | WMB010N04LG4 | 3SK128Q | IRFM150 | IRF7343QPBF
History: AP4800GM | WSP4406 | WMJ80R160S | WMB010N04LG4 | 3SK128Q | IRFM150 | IRF7343QPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681