SSD12P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD12P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.21 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SSD12P10 Datasheet (PDF)

1.1. ssd12p10.pdf Size:401K _secos

SSD12P10 2A , 650V , RDS(ON) 8? P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD12P10 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for al

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Liste

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