SSD12P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSD12P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 35.7 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.21 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSD12P10
SSD12P10 Datasheet (PDF)
1.1. ssd12p10.pdf 
Size:401K _secos
SSD12P10 2A , 650V , RDS(ON) 8? P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD12P10 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for al
Otros transistores... SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 , SSD10N20-400D , IRF5210 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S , SSD3055 .
