Справочник MOSFET. SSD12P10

 

SSD12P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSD12P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SSD12P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD12P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  secos
 ssd12p10.pdf pdf_icon

SSD12P10

SSD12P10 2A , 650V , RDS(ON) 8 P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD12P10 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is universally preferred f

 ..2. Size:911K  cn vbsemi
 ssd12p10.pdf pdf_icon

SSD12P10

SSD12P10www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.250 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.280 at VGS = - 4.5 V - 8.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-251 Power Switch

Другие MOSFET... SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 , SSD10N20-400D , 13N50 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S , SSD3055 .

 

 
Back to Top

 


 
.