F5027 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F5027

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TPACK

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F5027 datasheet

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F5027

FJPF5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Cur

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F5027

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... F5017H, F5018, F5019, F5020, F5021H, F5022, F5023, F5026, IRFB4227, F5028, F5029, F5030, F5031, F5032, F5033, F5038H, FA38SA50LC