F5027. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F5027

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TPACK

Аналог (замена) для F5027

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F5027 даташит

 0.1. Size:63K  fairchild semi
 fjpf5027.pdf pdf_icon

F5027

FJPF5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Cur

 0.2. Size:221K  onsemi
 fjpf5027.pdf pdf_icon

F5027

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... F5017H, F5018, F5019, F5020, F5021H, F5022, F5023, F5026, IRFB4227, F5028, F5029, F5030, F5031, F5032, F5033, F5038H, FA38SA50LC