Справочник MOSFET. F5027

 

F5027 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: F5027
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TPACK

 Аналог (замена) для F5027

 

 

F5027 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:63K  fairchild semi
 fjpf5027.pdf

F5027 F5027

FJPF5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Cur

 0.2. Size:221K  onsemi
 fjpf5027.pdf

F5027 F5027

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... F5017H , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , F5022 , F5023 , F5026 , IRFB4110 , F5028 , F5029 , F5030 , F5031 , F5032 , F5033 , F5038H , FA38SA50LC .

 

 
Back to Top