SSE110N03-03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSE110N03-03P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SSE110N03-03P MOSFET
SSE110N03-03P Datasheet (PDF)
sse110n03-03p.pdf

SSE110N03-03P 110A , 30V , RDS(ON) 2.5m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a DHigh Cell Density trench process to provide low RDS(on) Cand to ensure minimal power loss and heat dissipatio
Otros transistores... SSD70N03-04D , SSD70N04-06D , SSD9435 , SSD9575 , SSD95N03 , SSD9971 , SSD9973 , SSDF9504 , BS170 , SSE70N10-44P , SSE90N04-03P , SSE90N06-10P , SSE90N06-30P , SSE90N08-08 , SSE90N10-14 , SSE90P06-08P , SSF1320N .
History: SPP80N06S2-05 | SWD80N04V | AP80N04Q | 2SK3546J | CRTS084NE6N | HY3403U | OSG60R1K2DF
History: SPP80N06S2-05 | SWD80N04V | AP80N04Q | 2SK3546J | CRTS084NE6N | HY3403U | OSG60R1K2DF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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