SSE110N03-03P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSE110N03-03P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Encapsulados: TO220
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SSE110N03-03P datasheet
sse110n03-03p.pdf
SSE110N03-03P 110A , 30V , RDS(ON) 2.5m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a D High Cell Density trench process to provide low RDS(on) C and to ensure minimal power loss and heat dissipatio
Otros transistores... SSD70N03-04D , SSD70N04-06D , SSD9435 , SSD9575 , SSD95N03 , SSD9971 , SSD9973 , SSDF9504 , AO4407A , SSE70N10-44P , SSE90N04-03P , SSE90N06-10P , SSE90N06-30P , SSE90N08-08 , SSE90N10-14 , SSE90P06-08P , SSF1320N .
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