Справочник MOSFET. SSE110N03-03P

 

SSE110N03-03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSE110N03-03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSE110N03-03P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSE110N03-03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  secos
 sse110n03-03p.pdf pdf_icon

SSE110N03-03P

SSE110N03-03P 110A , 30V , RDS(ON) 2.5m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a DHigh Cell Density trench process to provide low RDS(on) Cand to ensure minimal power loss and heat dissipatio

Другие MOSFET... SSD70N03-04D , SSD70N04-06D , SSD9435 , SSD9575 , SSD95N03 , SSD9971 , SSD9973 , SSDF9504 , AO3407 , SSE70N10-44P , SSE90N04-03P , SSE90N06-10P , SSE90N06-30P , SSE90N08-08 , SSE90N10-14 , SSE90P06-08P , SSF1320N .

History: IRL2505PBF

 

 
Back to Top

 


 
.