SSG0410 Todos los transistores

 

SSG0410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG0410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.158 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SSG0410 datasheet

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SSG0410

SSG0410 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 3.8 A, 100 V, RDS(ON) 158 m Elektronische Bauelemente DESCRIPTION The SSG0410 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low volt

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