SSG0410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG0410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.158 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SSG0410 Datasheet (PDF)

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ssg0410.pdf

SSG0410 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 3.8 A, 100 V, RDS(ON) 158 m Elektronische Bauelemente DESCRIPTION The SSG0410 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low volt

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Liste

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