Справочник MOSFET. SSG0410

 

SSG0410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSG0410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.158 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG0410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  secos
 ssg0410.pdf pdf_icon

SSG0410

SSG0410 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 3.8 A, 100 V, RDS(ON) 158 m Elektronische Bauelemente DESCRIPTION The SSG0410 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low volt

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUK9610-30 | BRA2N60 | SML8075BN | SSG4639STM | CHM02N7NGP | UF640L-TF3-T | AOD4144

 

 
Back to Top

 


 
.