SSG4639STM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG4639STM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 641 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSG4639STM

SSG4639STM Datasheet (PDF)

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ssg4639stm.pdf

SSG4639STM P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -14 A, -30 V, RDS(ON) 8.5 m Elektronische Bauelemente FEATURES Super high dense cell design for low RDS(on). SOP-8 Rugged and reliable. Surface Mount Package. ESD Protected. BPRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARY L DVDSS(V) RDS(on) m( ID(A)8.5@VGS= -10V M-30 -14 13@VGS= -4.5V A CNKJMARKI

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