SSG4639STM Todos los transistores

 

SSG4639STM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG4639STM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 641 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SSG4639STM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSG4639STM datasheet

 ..1. Size:643K  secos
 ssg4639stm.pdf pdf_icon

SSG4639STM

SSG4639STM P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -14 A, -30 V, RDS(ON) 8.5 m Elektronische Bauelemente FEATURES Super high dense cell design for low RDS(on). SOP-8 Rugged and reliable. Surface Mount Package. ESD Protected. B PRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARY L D VDSS(V) RDS(on) m( ID(A) 8.5@VGS= -10V M -30 -14 13@VGS= -4.5V A C N K J MARKI

Otros transistores... SSG4505, SSG4510, SSG4512CE, SSG4520H, SSG4530C, SSG4536C, SSG4542C, SSG4543C, SKD502T, SSG4801, SSG4825P, SSG4825PE, SSG4835P, SSG4841P, SSG4842N, SSG4874N, SSG4890N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.