SSG4639STM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSG4639STM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 641 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSG4639STM Datasheet (PDF)
ssg4639stm.pdf

SSG4639STM P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -14 A, -30 V, RDS(ON) 8.5 m Elektronische Bauelemente FEATURES Super high dense cell design for low RDS(on). SOP-8 Rugged and reliable. Surface Mount Package. ESD Protected. BPRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARY L DVDSS(V) RDS(on) m( ID(A)8.5@VGS= -10V M-30 -14 13@VGS= -4.5V A CNKJMARKI
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AOD4144 | MTE6D5N12B0E3 | UF640L-TF3-T | CHM02N7NGP | 2SK2114 | PPMDP100V10 | BRA2N60
History: AOD4144 | MTE6D5N12B0E3 | UF640L-TF3-T | CHM02N7NGP | 2SK2114 | PPMDP100V10 | BRA2N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor