SSG4639STM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSG4639STM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 641 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSG4639STM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG4639STM даташит

 ..1. Size:643K  secos
 ssg4639stm.pdf pdf_icon

SSG4639STM

SSG4639STM P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -14 A, -30 V, RDS(ON) 8.5 m Elektronische Bauelemente FEATURES Super high dense cell design for low RDS(on). SOP-8 Rugged and reliable. Surface Mount Package. ESD Protected. B PRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARY L D VDSS(V) RDS(on) m( ID(A) 8.5@VGS= -10V M -30 -14 13@VGS= -4.5V A C N K J MARKI

Другие IGBT... SSG4505, SSG4510, SSG4512CE, SSG4520H, SSG4530C, SSG4536C, SSG4542C, SSG4543C, SKD502T, SSG4801, SSG4825P, SSG4825PE, SSG4835P, SSG4841P, SSG4842N, SSG4874N, SSG4890N