FA57SA50LC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FA57SA50LC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT227

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FA57SA50LC datasheet

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FA57SA50LC

PD - 91650A FA57SA50LC HEXFET Power MOSFET Fully Isolated Package D Easy to Use and Parallel VDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.08 Fully Avalanche Rated G Simple Drive Requirements ID = 57A Low Gate Charge Device S Low Drain to Case Capacitance Low Internal Inductance Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier

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FA57SA50LC

FA57SA50LCP www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 57 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance Designed for industrial level UL approve

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FA57SA50LC

FA57SA50LCP Vishay Semiconductors Power MOSFET, 57 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC D

Otros transistores... F5028, F5029, F5030, F5031, F5032, F5033, F5038H, FA38SA50LC, IRFP250N, FB180SA10, AO3423B, AS2306, FDB4020P, FDB4030L, FDB5680, FDB5690, FDB6030BL