FA57SA50LC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FA57SA50LC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 625 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 225 nC
Выходная емкость (Cd): 10000 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для FA57SA50LC
FA57SA50LC Datasheet (PDF)
fa57sa50lc.pdf
PD - 91650AFA57SA50LCHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.08 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 57A Low Gate Charge DeviceS Low Drain to Case Capacitance Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier
fa57sa50lcp.pdf
FA57SA50LCPwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 57 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance Designed for industrial level UL approve
fa57sa50.pdf
FA57SA50LCPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 57 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC D
Другие MOSFET... F5028 , F5029 , F5030 , F5031 , F5032 , F5033 , F5038H , FA38SA50LC , K4145 , FB180SA10 , AO3423B , AS2306 , FDB4020P , FDB4030L , FDB5680 , FDB5690 , FDB6030BL .
