SSG5509A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG5509A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SSG5509A Datasheet (PDF)

..1. Size:1421K secos
ssg5509a.pdf

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to Bprovide excellent on-resistance extremely efficient and

9.1. Size:60K 1
ssg55n60.pdf

SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features: Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa

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Liste

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