SSG5509A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSG5509A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SSG5509A Datasheet (PDF)
ssg5509a.pdf

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to Bprovide excellent on-resistance extremely efficient and
ssg55n60.pdf

SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features: Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa
Другие MOSFET... SSG4934N , SSG4935P , SSG4940N , SSG4940NC , SSG4942N , SSG4953 , SSG4953P , SSG4990N , 13N50 , SSG6612N , SSG6680 , SSG9435 , SSG9435BDY , SSG9435P , SSG9475 , SSG9575 , SSK3018K .
History: FDMS3008SDC
History: FDMS3008SDC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet