Справочник MOSFET. SSG5509A

 

SSG5509A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSG5509A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SSG5509A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG5509A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1421K  secos
ssg5509a.pdfpdf_icon

SSG5509A

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to Bprovide excellent on-resistance extremely efficient and

 9.1. Size:60K  1
ssg55n60.pdfpdf_icon

SSG5509A

SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features: Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa

Другие MOSFET... SSG4934N , SSG4935P , SSG4940N , SSG4940NC , SSG4942N , SSG4953 , SSG4953P , SSG4990N , 13N50 , SSG6612N , SSG6680 , SSG9435 , SSG9435BDY , SSG9435P , SSG9475 , SSG9575 , SSK3018K .

History: SR3400 | CS3205B8 | TK7P60W | DH012N03P | PT8822 | WMK175N10LG4 | FDMC8360L

 

 
Back to Top

 


 
.