SSG5509A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSG5509A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSG5509A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG5509A даташит

 ..1. Size:1421K  secos
 ssg5509a.pdf pdf_icon

SSG5509A

SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to B provide excellent on-resistance extremely efficient and

 9.1. Size:60K  1
 ssg55n60.pdf pdf_icon

SSG5509A

SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa

Другие IGBT... SSG4934N, SSG4935P, SSG4940N, SSG4940NC, SSG4942N, SSG4953, SSG4953P, SSG4990N, TK10A60D, SSG6612N, SSG6680, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475, SSG9575, SSK3018K