SSG5509A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSG5509A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4.8 ns
Выходная емкость (Cd): 99 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SSG5509A Datasheet (PDF)
ssg5509a.pdf
SSG5509A N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 30 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -4.8 A, -30 V, RDS(ON) 55 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8DESCRIPTION The SSG5509A uses advanced trench technology to Bprovide excellent on-resistance extremely efficient and
ssg55n60.pdf
SSG55N60 series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP /600 Volts TO-254 and TO-254Z 1.65 V saturation ultrafast IGBT TO-258 and TO-259 Features: Lowest ON-resistance in the industry Hermetically Sealed, Isolated Pa
Другие MOSFET... SSG4934N , SSG4935P , SSG4940N , SSG4940NC , SSG4942N , SSG4953 , SSG4953P , SSG4990N , IRFZ24N , SSG6612N , SSG6680 , SSG9435 , SSG9435BDY , SSG9435P , SSG9475 , SSG9575 , SSK3018K .
