SSG6680 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG6680

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SSG6680 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSG6680 datasheet

 ..1. Size:415K  secos
 ssg6680.pdf pdf_icon

SSG6680

SSG6680 11.5A, 30V,RDS(ON) 11m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o The SSG6680 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF 6.20 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.80 0.25 The SOP-8 is universally preferred for al

 9.1. Size:567K  secos
 ssg6612n.pdf pdf_icon

SSG6680

SSG6612N 9.4 A, 30 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

Otros transistores... SSG4940N, SSG4940NC, SSG4942N, SSG4953, SSG4953P, SSG4990N, SSG5509A, SSG6612N, SI2302, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475, SSG9575, SSK3018K, SSM0410, SSM452