SSG6680. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSG6680

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSG6680

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG6680 даташит

 ..1. Size:415K  secos
 ssg6680.pdf pdf_icon

SSG6680

SSG6680 11.5A, 30V,RDS(ON) 11m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o The SSG6680 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF 6.20 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.80 0.25 The SOP-8 is universally preferred for al

 9.1. Size:567K  secos
 ssg6612n.pdf pdf_icon

SSG6680

SSG6612N 9.4 A, 30 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

Другие IGBT... SSG4940N, SSG4940NC, SSG4942N, SSG4953, SSG4953P, SSG4990N, SSG5509A, SSG6612N, SI2302, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475, SSG9575, SSK3018K, SSM0410, SSM452