SSG6680 - аналоги и даташиты транзистора

 

SSG6680 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSG6680
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SSG6680

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG6680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  secos
 ssg6680.pdf pdf_icon

SSG6680

SSG668011.5A, 30V,RDS(ON) 11m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG6680 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred for al

 9.1. Size:567K  secos
 ssg6612n.pdf pdf_icon

SSG6680

SSG6612N 9.4 A, 30 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

Другие MOSFET... SSG4940N , SSG4940NC , SSG4942N , SSG4953 , SSG4953P , SSG4990N , SSG5509A , SSG6612N , IRFZ46N , SSG9435 , SSG9435BDY , SSG9435P , SSG9475 , SSG9575 , SSK3018K , SSM0410 , SSM452 .

History: SJMN380R70B | BRD2N60 | WMK043N10HGS | PTP10N40B

 

 
Back to Top

 


 
.