SSG9575 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG9575

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SSG9575 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSG9575 datasheet

 ..1. Size:232K  secos
 ssg9575.pdf pdf_icon

SSG9575

SSG9575 -4A, -60V,RDS(ON) 90m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o The SSG9575 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF 6.20 ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.80 0.25 The SOP-8 is universally preferred f

Otros transistores... SSG4990N, SSG5509A, SSG6612N, SSG6680, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475, IRF2807, SSK3018K, SSM0410, SSM452, SSM9971, SSN3541, SSP7150N, SSP7200N, SSP7300N