SSG9575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG9575
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SSG9575 Datasheet (PDF)

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ssg9575.pdf

SSG9575-4A, -60V,RDS(ON) 90m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG9575 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred f

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Liste

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