SSG9575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG9575
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SSG9575 Datasheet (PDF)

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ssg9575.pdf

SSG9575-4A, -60V,RDS(ON) 90m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG9575 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred f

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