Справочник MOSFET. SSG9575

 

SSG9575 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSG9575
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SSG9575

 

 

SSG9575 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  secos
 ssg9575.pdf

SSG9575 SSG9575

SSG9575-4A, -60V,RDS(ON) 90m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG9575 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred f

Другие MOSFET... SSG4990N , SSG5509A , SSG6612N , SSG6680 , SSG9435 , SSG9435BDY , SSG9435P , SSG9475 , RU6888R , SSK3018K , SSM0410 , SSM452 , SSM9971 , SSN3541 , SSP7150N , SSP7200N , SSP7300N .

History: PSMN7R5-30YLD

 

 
Back to Top