SSG9575 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSG9575
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 165 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SSG9575 Datasheet (PDF)
ssg9575.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSG9575-4A, -60V,RDS(ON) 90m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG9575 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred f
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .