SSP7200N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSP7200N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SOP8PP

 Búsqueda de reemplazo de SSP7200N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSP7200N datasheet

 ..1. Size:179K  secos
 ssp7200n.pdf pdf_icon

SSP7200N

SSP7200N 3 A, 200 V, RDS(ON) 400 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8PP These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pr

Otros transistores... SSG9475, SSG9575, SSK3018K, SSM0410, SSM452, SSM9971, SSN3541, SSP7150N, AO3400A, SSP7300N, SSP7411P, SSP7421P, SSP7430N, SSP7431P, SSP7432N, SSP7434N, SSP7436N