Справочник MOSFET. SSP7200N

 

SSP7200N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSP7200N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP8PP
 

 Аналог (замена) для SSP7200N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP7200N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  secos
 ssp7200n.pdf pdf_icon

SSP7200N

SSP7200N 3 A, 200 V, RDS(ON) 400 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8PP These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pr

Другие MOSFET... SSG9475 , SSG9575 , SSK3018K , SSM0410 , SSM452 , SSM9971 , SSN3541 , SSP7150N , RU6888R , SSP7300N , SSP7411P , SSP7421P , SSP7430N , SSP7431P , SSP7432N , SSP7434N , SSP7436N .

History: IRF5805TRPBF | NCEP036N10MSL | MTE050N15BRV8

 

 
Back to Top

 


 
.