FDB4020P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB4020P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB4020P

FDB4020P Datasheet (PDF)

..1. Size:78K fairchild semi
fdp4020p fdb4020p.pdf

September 2000FDP4020P/FDB4020PP-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 @ VGS = -4.5 VThis P-Channel low threshold MOSFET has beenRDS(on) = 0.11 @ VGS = -2.5 V.designed for use as a linear pass element for low voltageoutputs. In addition, the part may be used as a low voltage Criti

9.1. Size:392K fairchild semi
fdp4030l fdb4030l.pdf

March 1998 FDP4030L / FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS=10 Vtransistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.055 @ VGS=4.5V.high cell density, DMOS technology. This very highCritical DC electrical parame

Otros transistores... F5032 , F5033 , F5038H , FA38SA50LC , FA57SA50LC , FB180SA10 , AO3423B , AS2306 , IRF1407 , FDB4030L , FDB5680 , FDB5690 , FDB6030BL , FDB6030L , FDB6035AL , FDB6035L , FDB603AL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: