FDB4020P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB4020P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO263AB

Аналог (замена) для FDB4020P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB4020P даташит

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 fdp4020p fdb4020p.pdf pdf_icon

FDB4020P

September 2000 FDP4020P/FDB4020P P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 @ VGS = -4.5 V This P-Channel low threshold MOSFET has been RDS(on) = 0.11 @ VGS = -2.5 V. designed for use as a linear pass element for low voltage outputs. In addition, the part may be used as a low voltage Criti

 9.1. Size:392K  fairchild semi
 fdp4030l fdb4030l.pdf pdf_icon

FDB4020P

March 1998 FDP4030L / FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS=10 V transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.055 @ VGS=4.5V. high cell density, DMOS technology. This very high Critical DC electrical parame

Другие IGBT... F5032, F5033, F5038H, FA38SA50LC, FA57SA50LC, FB180SA10, AO3423B, AS2306, 2SK3878, FDB4030L, FDB5680, FDB5690, FDB6030BL, FDB6030L, FDB6035AL, FDB6035L, FDB603AL