Справочник MOSFET. FDB4020P

 

FDB4020P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDB4020P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO263AB

 Аналог (замена) для FDB4020P

 

 

FDB4020P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 fdp4020p fdb4020p.pdf

FDB4020P FDB4020P

September 2000FDP4020P/FDB4020PP-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 @ VGS = -4.5 VThis P-Channel low threshold MOSFET has beenRDS(on) = 0.11 @ VGS = -2.5 V.designed for use as a linear pass element for low voltageoutputs. In addition, the part may be used as a low voltage Criti

 9.1. Size:392K  fairchild semi
 fdp4030l fdb4030l.pdf

FDB4020P FDB4020P

March 1998 FDP4030L / FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS=10 Vtransistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.055 @ VGS=4.5V.high cell density, DMOS technology. This very highCritical DC electrical parame

Другие MOSFET... F5032 , F5033 , F5038H , FA38SA50LC , FA57SA50LC , FB180SA10 , AO3423B , AS2306 , IRF1407 , FDB4030L , FDB5680 , FDB5690 , FDB6030BL , FDB6030L , FDB6035AL , FDB6035L , FDB603AL .

 

 
Back to Top