SSQ5N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSQ5N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SSQ5N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSQ5N50 datasheet

 ..1. Size:485K  secos
 ssq5n50.pdf pdf_icon

SSQ5N50

SSQ5N50 4.5A, 500V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P D FEATURES C Low RDS(on) Technology. B Low thermal impedance. R T Fast switching speed. A E S G APPLICATIONS F I Electronic ballast. H Electronic transformer J K

Otros transistores... SSP7480N, SSP7481P, SSPS7321P, SSPS7330N, SSPS7331P, SSPS7332N, SSPS7333P, SSPS7334N, IRF740, SSQ6N60, SSRF30N20-400, SSRF4N60, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604