SSQ5N50 Todos los transistores

 

SSQ5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSQ5N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SSQ5N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSQ5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  secos
 ssq5n50.pdf pdf_icon

SSQ5N50

SSQ5N50 4.5A, 500V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P DFEATURES C Low RDS(on) Technology. B Low thermal impedance. RT Fast switching speed. AESGAPPLICATIONS F I Electronic ballast. H Electronic transformer JK

Otros transistores... SSP7480N , SSP7481P , SSPS7321P , SSPS7330N , SSPS7331P , SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , IRF740 , SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 .

 

 
Back to Top

 


 
.