Справочник MOSFET. SSQ5N50

 

SSQ5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSQ5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSQ5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  secos
 ssq5n50.pdf pdf_icon

SSQ5N50

SSQ5N50 4.5A, 500V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P DFEATURES C Low RDS(on) Technology. B Low thermal impedance. RT Fast switching speed. AESGAPPLICATIONS F I Electronic ballast. H Electronic transformer JK

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HRFZ44N | IRCP440 | BUK436-200A | SI1402DH | 2N4338 | NTMFS5C682NL | IXTZ24N50MA

 

 
Back to Top

 


 
.