Справочник MOSFET. SSQ5N50

 

SSQ5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSQ5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSQ5N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSQ5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  secos
 ssq5n50.pdf pdf_icon

SSQ5N50

SSQ5N50 4.5A, 500V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P DFEATURES C Low RDS(on) Technology. B Low thermal impedance. RT Fast switching speed. AESGAPPLICATIONS F I Electronic ballast. H Electronic transformer JK

Другие MOSFET... SSP7480N , SSP7481P , SSPS7321P , SSPS7330N , SSPS7331P , SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , IRF740 , SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 .

 

 
Back to Top

 


 
.