SSQ5N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSQ5N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSQ5N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSQ5N50 даташит

 ..1. Size:485K  secos
 ssq5n50.pdf pdf_icon

SSQ5N50

SSQ5N50 4.5A, 500V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P D FEATURES C Low RDS(on) Technology. B Low thermal impedance. R T Fast switching speed. A E S G APPLICATIONS F I Electronic ballast. H Electronic transformer J K

Другие IGBT... SSP7480N, SSP7481P, SSPS7321P, SSPS7330N, SSPS7331P, SSPS7332N, SSPS7333P, SSPS7334N, IRF740, SSQ6N60, SSRF30N20-400, SSRF4N60, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604