SSQ6N60 Todos los transistores

 

SSQ6N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSQ6N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SSQ6N60 Datasheet (PDF)

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SSQ6N60

SSQ6N60 2.6A, 600V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P DFEATURES C Low RDS(on) Technology. BR Low thermal impedance. T Fast switching speed. AESGAPPLICATIONS F I Electronic ballast. HJ Electronic transformer K

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History: WMK05N100C2 | IRL2505PBF | IRF9Z30PBF | IRFHS9351 | SI4920DY-T1 | TPC6110 | SFR9214

 

 
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