SSQ6N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSQ6N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSQ6N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSQ6N60 даташит

 ..1. Size:477K  secos
 ssq6n60.pdf pdf_icon

SSQ6N60

SSQ6N60 2.6A, 600V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P D FEATURES C Low RDS(on) Technology. B R Low thermal impedance. T Fast switching speed. A E S G APPLICATIONS F I Electronic ballast. H J Electronic transformer K

Другие IGBT... SSP7481P, SSPS7321P, SSPS7330N, SSPS7331P, SSPS7332N, SSPS7333P, SSPS7334N, SSQ5N50, IRF840, SSRF30N20-400, SSRF4N60, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604, SST2605