Справочник MOSFET. SSQ6N60

 

SSQ6N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSQ6N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSQ6N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSQ6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  secos
 ssq6n60.pdf pdf_icon

SSQ6N60

SSQ6N60 2.6A, 600V, RDS(ON) 1500m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-220P DFEATURES C Low RDS(on) Technology. BR Low thermal impedance. T Fast switching speed. AESGAPPLICATIONS F I Electronic ballast. HJ Electronic transformer K

Другие MOSFET... SSP7481P , SSPS7321P , SSPS7330N , SSPS7331P , SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , SSQ5N50 , IRF840 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , SST2605 .

History: PSMN6R3-120PS | IRLML2402GPBF | SSI4N90A | SST70R300S2 | SI4931DY | RJK0822SPN | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.